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IXTP12N65X2
Power MOSFET, X2-Class, N Channel, 650 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-220AB, Through Hole
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FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
Nº da peça do fabricanteIXTP12N65X2Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante28 semanas
Código Newark02AC9840
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 28 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 5.950 |
| 10+ | $ 3.090 |
| 25+ | $ 2.870 |
| 50+ | $ 2.640 |
| 100+ | $ 2.420 |
| 250+ | $ 2.370 |
| 500+ | $ 2.320 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 5.95
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Informação do produto
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
Nº da peça do fabricanteIXTP12N65X2Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante28 semanas
Código Newark02AC9840
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id12A
Drain Source On State Resistance0.3ohm
On Resistance Rds(on)0.3ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd180W
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation180W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (17-Jan-2023)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.3ohm
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
12A
On Resistance Rds(on)
0.3ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
180W
Power Dissipation
180W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (17-Jan-2023)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (17-Jan-2023)
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos
