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IXTP08N100D2
Power MOSFET, N Channel, 1 kV, 800 mA, 21 ohm, TO-220AB, Through Hole
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FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
Nº da peça do fabricanteIXTP08N100D2Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante50 semanas
Código Newark71AH4576
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 3.670 |
| 10+ | $ 1.810 |
| 25+ | $ 1.750 |
| 50+ | $ 1.690 |
| 100+ | $ 1.630 |
| 250+ | $ 1.480 |
| 500+ | $ 1.320 |
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Informação do produto
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
Nº da peça do fabricanteIXTP08N100D2Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante50 semanas
Código Newark71AH4576
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds1kV
Continuous Drain Current Id800mA
Drain Source On State Resistance21ohm
On Resistance Rds(on)21ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage0V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd60W
Power Dissipation60W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1kV
Drain Source On State Resistance
21ohm
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
0V
Power Dissipation Pd
60W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
800mA
On Resistance Rds(on)
21ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
60W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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Certificado de conformidade do produto
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