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IXTA4N65X2
MOSFET, N-CH, 650V, 4A, TO-263
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FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
Nº da peça do fabricanteIXTA4N65X2Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante42 semanas
Código Newark02AC9830
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 42 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 4.320 |
| 10+ | $ 3.620 |
| 25+ | $ 2.910 |
| 50+ | $ 2.210 |
| 100+ | $ 2.000 |
| 250+ | $ 1.820 |
| 500+ | $ 1.640 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 4.32
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
Nº da peça do fabricanteIXTA4N65X2Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante42 semanas
Código Newark02AC9830
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id4A
On Resistance Rds(on)0.85ohm
Drain Source On State Resistance0.85ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation Pd80W
Power Dissipation80W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (17-Jan-2023)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
On Resistance Rds(on)
0.85ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
80W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
4A
Drain Source On State Resistance
0.85ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation
80W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (17-Jan-2023)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (17-Jan-2023)
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Certificado de conformidade do produto
