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IXFN420N10T
MOSFET MODULE, N CH, 100V, 420A
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FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
Nº da peça do fabricanteIXFN420N10TCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante25 semanas
Código Newark71AH4551
Gama de produtosGigaMOS HiperFET Series
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 37.830 |
| 5+ | $ 33.380 |
| 10+ | $ 28.930 |
| 25+ | $ 28.060 |
| 50+ | $ 27.300 |
| 100+ | $ 26.540 |
| 250+ | $ 26.070 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 37.83
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Informação do produto
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
Nº da peça do fabricanteIXFN420N10TCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante25 semanas
Código Newark71AH4551
Gama de produtosGigaMOS HiperFET Series
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id420A
Drain Source Voltage Vds100V
Drain Source On State Resistance2300µohm
On Resistance Rds(on)0.0023ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation Pd1.07kW
Power Dissipation1.07kW
Operating Temperature Max175°C
Product RangeGigaMOS HiperFET Series
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
420A
Drain Source On State Resistance
2300µohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
1.07kW
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
To Be Advised
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.0023ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation
1.07kW
Product Range
GigaMOS HiperFET Series
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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Certificado de conformidade do produto
