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IXFK80N50Q3
MOSFET, N-CH, 500V, 80A, TO-264
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FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
Nº da peça do fabricanteIXFK80N50Q3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante36 semanas
Código Newark02AC9811
Gama de produtosHiPerFET
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 36 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 51.710 |
| 5+ | $ 49.700 |
| 10+ | $ 47.460 |
| 25+ | $ 45.000 |
| 50+ | $ 42.760 |
| 100+ | $ 42.090 |
| 250+ | $ 41.190 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 51.71
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Informação do produto
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
Nº da peça do fabricanteIXFK80N50Q3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante36 semanas
Código Newark02AC9811
Gama de produtosHiPerFET
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id80A
Drain Source On State Resistance0.065ohm
On Resistance Rds(on)0.065ohm
Transistor Case StyleTO-264
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max6.5V
Power Dissipation Pd1.25kW
Power Dissipation1.25kW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHiPerFET
Qualification-
SVHCLead (17-Jan-2023)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
0.065ohm
Transistor Case Style
TO-264
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
1.25kW
No. of Pins
3Pins
Product Range
HiPerFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
80A
On Resistance Rds(on)
0.065ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
6.5V
Power Dissipation
1.25kW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (17-Jan-2023)
Documentação técnica (1)
Alternativas para IXFK80N50Q3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (17-Jan-2023)
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Certificado de conformidade do produto
