Imprimir página
IXFK64N50P
Power MOSFET, PolarFET, N Channel, 500 V, 64 A, 85 mohm, TO-264, Through Hole
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
Nº da peça do fabricanteIXFK64N50P
Código Newark58M7613
Seu número de peça
961 Em Estoque
Precisa de mais?
Entrega em 2-4 Dias Úteis(UK estoque)
Faça o pedido antes das 20h (EST) para envio convencional
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 25.400 |
| 10+ | $ 20.860 |
| 25+ | $ 16.310 |
| 50+ | $ 15.240 |
| 100+ | $ 14.290 |
| 250+ | $ 13.820 |
| 500+ | $ 13.480 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 25.40
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
Nº da peça do fabricanteIXFK64N50P
Código Newark58M7613
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id64A
Drain Source On State Resistance85mohm
On Resistance Rds(on)0.085ohm
Transistor Case StyleTO-264
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd830W
Gate Source Threshold Voltage Max5.5V
Power Dissipation830W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Descrição geral do produto
The IXFK64N50P is a single N-channel enhancement-mode Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™). It features low static drain-to-source ON-resistance and high power density. It is suitable for DC-to-DC converters, battery chargers, DC choppers, switch-mode and resonant-mode power supplies.
- International standard packages
- Low Qg
- Low package inductance
- Easy to mount
- Space saving
- Avalanche rating
Aplicações
Power Management, Motor Drive & Control
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
64A
On Resistance Rds(on)
0.085ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
830W
Power Dissipation
830W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
85mohm
Transistor Case Style
TO-264
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
5.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Documentação técnica (2)
Produtos associados
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (17-Jan-2023)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos
