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IXFK44N80P
Power MOSFET, N Channel, 800 V, 44 A, 0.19 ohm, TO-264, Through Hole
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FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
Nº da peça do fabricanteIXFK44N80P
Código Newark58M7611
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 23.100 |
| 5+ | $ 20.420 |
| 10+ | $ 19.670 |
| 25+ | $ 19.000 |
| 50+ | $ 18.400 |
| 100+ | $ 18.040 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
Nº da peça do fabricanteIXFK44N80P
Código Newark58M7611
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id44A
On Resistance Rds(on)0.19ohm
Drain Source On State Resistance0.19ohm
Transistor Case StyleTO-264
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd1.2kW
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation1.2kW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Descrição geral do produto
The IXFK44N80P is a PolarHV™ HiPerFET N-channel enhancement-mode Power MOSFET features avalanche rated and fast intrinsic diode.
- International standard package
- Unclamped inductive switching (UIS) rated
- Low package inductance
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
Aplicações
Industrial, Power Management
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
44A
Drain Source On State Resistance
0.19ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
1.2kW
Power Dissipation
1.2kW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Drain Source Voltage Vds
800V
On Resistance Rds(on)
0.19ohm
Transistor Case Style
TO-264
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Documentação técnica (2)
Produtos associados
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (17-Jan-2023)
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Rastreabilidade de produtos
