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IXFK120N65X2
MOSFET, N-CH, 650V, 120A, TO-246P
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
Nº da peça do fabricanteIXFK120N65X2Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante28 semanas
Código Newark02AC9805
Gama de produtosHiPerFET
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 28 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 30.060 |
| 5+ | $ 28.580 |
| 10+ | $ 26.940 |
| 25+ | $ 25.130 |
| 50+ | $ 23.490 |
| 100+ | $ 22.990 |
| 250+ | $ 22.340 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 30.06
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
Nº da peça do fabricanteIXFK120N65X2Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante28 semanas
Código Newark02AC9805
Gama de produtosHiPerFET
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id120A
On Resistance Rds(on)0.024ohm
Drain Source On State Resistance0.024ohm
Transistor Case StyleTO-264P
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation1.25kW
Power Dissipation Pd1.25kW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHiPerFET
Qualification-
SVHCLead (17-Jan-2023)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
On Resistance Rds(on)
0.024ohm
Transistor Case Style
TO-264P
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.25kW
No. of Pins
3Pins
Product Range
HiPerFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
120A
Drain Source On State Resistance
0.024ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation Pd
1.25kW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (17-Jan-2023)
Documentação técnica (1)
Alternativas para IXFK120N65X2
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (17-Jan-2023)
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Certificado de conformidade do produto
