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IXFH36N50P
MOSFET, N-CH, 500V, 36A, TO-247
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FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
Nº da peça do fabricanteIXFH36N50PCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante28 semanas
Código Newark02AC9799
Gama de produtosPolar HiPerFET
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 28 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 13.730 |
| 10+ | $ 12.380 |
| 25+ | $ 11.220 |
| 50+ | $ 10.510 |
| 100+ | $ 9.810 |
| 250+ | $ 8.180 |
| 500+ | $ 7.950 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 13.73
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
Nº da peça do fabricanteIXFH36N50PCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante28 semanas
Código Newark02AC9799
Gama de produtosPolar HiPerFET
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id36A
Drain Source On State Resistance0.17ohm
On Resistance Rds(on)0.17ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation540W
Power Dissipation Pd540W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangePolar HiPerFET
Qualification-
SVHCLead (17-Jan-2023)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
0.17ohm
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
540W
No. of Pins
3Pins
Product Range
Polar HiPerFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
36A
On Resistance Rds(on)
0.17ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation Pd
540W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (17-Jan-2023)
Documentação técnica (1)
Alternativas para IXFH36N50P
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (17-Jan-2023)
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Certificado de conformidade do produto
