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IXFH30N50Q3
MOSFET, N-CH, 500V, 30A, TO-247
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
Nº da peça do fabricanteIXFH30N50Q3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante29 semanas
Código Newark71AH4545
Gama de produtosQ3-Class HiperFET
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 29 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 13.990 |
| 10+ | $ 12.130 |
| 25+ | $ 11.590 |
| 60+ | $ 10.990 |
| 120+ | $ 10.590 |
| 270+ | $ 10.170 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 13.99
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
Nº da peça do fabricanteIXFH30N50Q3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante29 semanas
Código Newark71AH4545
Gama de produtosQ3-Class HiperFET
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id30A
Drain Source On State Resistance0.2ohm
On Resistance Rds(on)0.2ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max6.5V
Power Dissipation690W
Power Dissipation Pd690W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeQ3-Class HiperFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
0.2ohm
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
690W
No. of Pins
3Pins
Product Range
Q3-Class HiperFET
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
30A
On Resistance Rds(on)
0.2ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
6.5V
Power Dissipation Pd
690W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (12-Jan-2017)
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Certificado de conformidade do produto
