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IXFH26N50P
MOSFET, N-CH, 500V, 26A, TO-247
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FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
Nº da peça do fabricanteIXFH26N50PCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante27 semanas
Código Newark71AH4543
Gama de produtosPolarHV HiPerFET
Seu número de peça
325 Em Estoque
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 10.260 |
| 10+ | $ 9.260 |
| 25+ | $ 8.380 |
| 50+ | $ 7.860 |
| 100+ | $ 7.340 |
| 250+ | $ 6.110 |
| 500+ | $ 5.940 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 10.26
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Informação do produto
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
Nº da peça do fabricanteIXFH26N50PCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante27 semanas
Código Newark71AH4543
Gama de produtosPolarHV HiPerFET
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id26A
On Resistance Rds(on)0.23ohm
Drain Source On State Resistance0.23ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5.5V
Power Dissipation Pd400W
Power Dissipation400W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangePolarHV HiPerFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
500V
On Resistance Rds(on)
0.23ohm
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
400W
No. of Pins
3Pins
Product Range
PolarHV HiPerFET
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
26A
Drain Source On State Resistance
0.23ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5.5V
Power Dissipation
400W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documentação técnica (2)
Alternativas para IXFH26N50P
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (12-Jan-2017)
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