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IXFB30N120P
MOSFET, N-CH, 1.2KV, 30A, PLUS264 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
Nº da peça do fabricanteIXFB30N120P
Código Newark71AH4537
Gama de produtosPolar HiPerFET
Seu número de peça
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 51.150 |
| 5+ | $ 45.820 |
| 10+ | $ 43.750 |
| 25+ | $ 43.020 |
| 50+ | $ 42.210 |
| 100+ | $ 41.730 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 51.15
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Informação do produto
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
Nº da peça do fabricanteIXFB30N120P
Código Newark71AH4537
Gama de produtosPolar HiPerFET
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Continuous Drain Current Id30A
Drain Source On State Resistance0.35ohm
On Resistance Rds(on)0.35ohm
Transistor Case StylePLUS264
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max6.5V
Power Dissipation Pd1.25kW
Power Dissipation1.25kW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangePolar HiPerFET
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Drain Source On State Resistance
0.35ohm
Transistor Case Style
PLUS264
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
1.25kW
No. of Pins
3Pins
Product Range
Polar HiPerFET
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
30A
On Resistance Rds(on)
0.35ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
6.5V
Power Dissipation
1.25kW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos
