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SPD30P06PGBTMA1
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteSPD30P06PGBTMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK6354
Rodo à Medida50Y7849RL
Segmento de fita50Y7849
Também conhecido porSPD30P06P G, SP000441776
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.990 | $ 1.99 |
| Total Preço | $ 1.99 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.990 |
| 10+ | $ 1.270 |
| 25+ | $ 1.130 |
| 50+ | $ 0.993 |
| 100+ | $ 0.855 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 2500+ | $ 0.594 |
| 5000+ | $ 0.574 |
| 10000+ | $ 0.552 |
| 15000+ | $ 0.528 |
| 25000+ | $ 0.516 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteSPD30P06PGBTMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK6354
Rodo à Medida50Y7849RL
Segmento de fita50Y7849
Também conhecido porSPD30P06P G, SP000441776
Ficha técnica
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id30A
On Resistance Rds(on)0.069ohm
Drain Source On State Resistance0.075ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd125W
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation125W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The SPD30P06P G is an OptiMOS™ P-channel Power MOSFET consistently meets the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as ON-state resistance and figure of merit characteristics.
- Enhancement-mode
- Avalanche rated
- Small signal packages approved to AEC-Q101
- dV/dt Rated
- AEC-Q101 Qualified
- Green device
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.069ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
30A
Drain Source On State Resistance
0.075ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
125W
Power Dissipation
125W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
