Imprimir página
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.

FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteSPD04P10PLGBTMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante13 semanas
Código Newark47W3757
Também conhecido porSPD04P10PL G, SP000212231
Seu número de peça
3,233 Em Estoque
Precisa de mais?
Entrega em 2-3 Semanas Úteis(UK estoque)
Faça o pedido antes das 20h (EST) para envio convencional
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.340 |
| 10+ | $ 1.300 |
| 100+ | $ 0.971 |
| 500+ | $ 0.769 |
| 1000+ | $ 0.651 |
| 2500+ | $ 0.514 |
| 10000+ | $ 0.483 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 1.34
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteSPD04P10PLGBTMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante13 semanas
Código Newark47W3757
Também conhecido porSPD04P10PL G, SP000212231
Ficha técnica
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id4.2A
On Resistance Rds(on)0.55ohm
Drain Source On State Resistance0.85ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd38W
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation38W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The SPD04P10PL G is an OptiMOS™ P-channel Power MOSFET consistently meets the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as ON-state resistance and figure of merit characteristics.
- Enhancement-mode
- Avalanche rated
- Logic level
- Qualified according to AEC-Q101
- Green device
Aplicações
Power Management, Automotive, Consumer Electronics, Motor Drive & Control, Portable Devices, Communications & Networking
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.55ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
4.2A
Drain Source On State Resistance
0.85ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
38W
Power Dissipation
38W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Produtos associados
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto
