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SPD04N60C3ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 4.5 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteSPD04N60C3ATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante15 semanas
Código Newark47W3756
Também conhecido porSPD04N60C3, SP001117764
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.430 |
| 10+ | $ 1.570 |
| 100+ | $ 1.070 |
| 500+ | $ 0.853 |
| 1000+ | $ 0.839 |
| 2500+ | $ 0.779 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteSPD04N60C3ATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante15 semanas
Código Newark47W3756
Também conhecido porSPD04N60C3, SP001117764
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id4.5A
On Resistance Rds(on)0.85ohm
Drain Source On State Resistance0.95ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd50W
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation50W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The SPD04N60C3 is a 650V CoolMOS™ N-channel Power MOSFET features ultra-low gate current. It is suitable for server, telecom, PC power and adapter applications.
- New revolutionary high voltage technology
- Extreme dV/dt rated
- High peak current capability
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Improved transconductance
- Periodic avalanche rated
- Low specific ON-state resistance
- Very low energy storage in output capacitance (Eoss)@400V
- Field proven CoolMOS™ quality
- High efficiency and power density
- Outstanding performance
- High reliability
- Ease of use
Aplicações
Industrial, Communications & Networking, Consumer Electronics, Power Management
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
On Resistance Rds(on)
0.85ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
4.5A
Drain Source On State Resistance
0.95ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
50W
Power Dissipation
50W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Produtos associados
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto