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SPB20N60C3ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 20.7 A, 0.19 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteSPB20N60C3ATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante13 semanas
Código Newark
Rolo completo79AH6721
Rolo completo86AK6351
Rodo à Medida98K0554RL
Segmento de fita98K0554
Também conhecido porSPB20N60C3, SP000013520
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 4.340 | $ 4.34 |
| Total Preço | $ 4.34 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 4.340 |
| 10+ | $ 2.850 |
| 25+ | $ 2.580 |
| 50+ | $ 2.290 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1000+ | $ 2.390 |
| 2000+ | $ 1.550 |
| 4000+ | $ 1.490 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteSPB20N60C3ATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante13 semanas
Código Newark
Rolo completo79AH6721
Rolo completo86AK6351
Rodo à Medida98K0554RL
Segmento de fita98K0554
Também conhecido porSPB20N60C3, SP000013520
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id20.7A
Drain Source On State Resistance0.19ohm
On Resistance Rds(on)0.19ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd208W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation208W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The SPB20N60C3 is a 650V CoolMOS™ N-channel Power MOSFET features ultra-low gate current. It is suitable for server, telecom, PC power and adapter applications.
- New revolutionary high voltage technology
- Extreme dV/dt rated
- High peak current capability
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Improved transconductance
- Low specific ON-state resistance
- Very low energy storage in output capacitance (Eoss)@400V
- Field proven CoolMOS™ quality
- Periodic avalanche rated
- High efficiency and power density
- Outstanding performance
- High reliability
- Ease of use
Aplicações
Industrial, Communications & Networking, Consumer Electronics, Power Management
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.19ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Power Dissipation Pd
208W
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
20.7A
On Resistance Rds(on)
0.19ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
208W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Alternativas para SPB20N60C3ATMA1
1 produto encontrado
Produtos associados
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto