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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteSPB17N80C3ATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante10 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK6350
Rodo à Medida33P8201
Segmento de fita33P8201
Também conhecido porSPB17N80C3, SP000013370
Seu número de peça
121 Em Estoque
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 4.900 | $ 4.90 |
| Total Preço | $ 4.90 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 4.900 |
| 10+ | $ 3.230 |
| 25+ | $ 2.950 |
| 50+ | $ 2.670 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1000+ | $ 1.960 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteSPB17N80C3ATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante10 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK6350
Rodo à Medida33P8201
Segmento de fita33P8201
Também conhecido porSPB17N80C3, SP000013370
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id17A
Drain Source On State Resistance0.29ohm
On Resistance Rds(on)0.25ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd227W
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation227W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The SPB17N80C3 is a 800V CoolMOS™ N-channel Power MOSFET features ultra-low gate current. It is designed for high DC bulk voltage and switching applications.
- New revolutionary high voltage technology
- Extreme dV/dt rated
- High peak current capability
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Ultra low effective capacitance
- Low specific ON-state resistance
- Very low energy storage in output capacitance (Eoss)@400V
- Field proven CoolMOS™ quality
Aplicações
Industrial, Consumer Electronics, Power Management, Lighting, Alternative Energy
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
17A
On Resistance Rds(on)
0.25ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
227W
Power Dissipation
227W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
800V
Drain Source On State Resistance
0.29ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (3)
Alternativas para SPB17N80C3ATMA1
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
