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SMBTA42E6327HTSA1
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 300 V, 500 mA, 360 mW, SOT-23, Surface Mount
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteSMBTA42E6327HTSA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante28 semanas
Código Newark
Rodo à Medida24AC9853RL
Segmento de fita24AC9853
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Rodo à Medida | 1 | $ 0.550 | $ 0.55 |
| Total Preço | $ 0.55 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.550 |
| 50+ | $ 0.337 |
| 100+ | $ 0.213 |
| 250+ | $ 0.187 |
| 500+ | $ 0.161 |
| 1000+ | $ 0.143 |
| 2500+ | $ 0.140 |
| 5000+ | $ 0.137 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteSMBTA42E6327HTSA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante28 semanas
Código Newark
Rodo à Medida24AC9853RL
Segmento de fita24AC9853
Ficha técnica
Descrição geral do produto
SMBTA42E6327HTSA1 is a NPN silicon high-voltage transistor.
- Low collector-emitter saturation voltage
- Qualified according AEC Q101
- 300V minimum collector-emitter breakdown voltage at IC = 1mA, IB = 0
- 300V minimum collector base breakdown voltage at IC = 100µA, IE = 0
- 6V minimum emitter-base breakdown voltage at IE = 100µA, IC = 0
- 25 DC current gain at IC = 1mA, VCE = 10V
- 0.5V maximum collector-emitter saturation voltage at IC = 20mA, IB = 2mA
- 70MHz transition frequency at IC = 10MHz, VCE = 20V, f = 100MHz
- 500 mA collector current, 100mA base current
- 3 pin SOT23 package, 150°C junction temperature
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
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Certificado de conformidade do produto