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ISZ0703NLSATMA1
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 56 A, 6400 µohm, TSDSON, Surface Mount
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.960 | $ 1.96 |
| Total Preço | $ 1.96 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.960 |
| 10+ | $ 1.240 |
| 25+ | $ 1.100 |
| 50+ | $ 0.961 |
| 100+ | $ 0.823 |
| 250+ | $ 0.734 |
| 500+ | $ 0.645 |
| 1000+ | $ 0.541 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteISZ0703NLSATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante52 semanas
Código Newark
Rodo à Medida68AJ1757RL
Segmento de fita68AJ1757
Gama de produtosOptiMOS 5
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id56A
On Resistance Rds(on)0.0064ohm
Drain Source On State Resistance6400µohm
Transistor Case StyleTSDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation44W
Power Dissipation Pd44W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS 5
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.0064ohm
Transistor Case Style
TSDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
44W
No. of Pins
8Pins
Product Range
OptiMOS 5
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
56A
Drain Source On State Resistance
6400µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
Power Dissipation Pd
44W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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