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ISZ065N03L5SATMA1
MOSFET, N-CH, 30V, 40A, TSDSON-FL
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.989 | $ 0.99 |
| Total Preço | $ 0.99 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.989 |
| 10+ | $ 0.620 |
| 25+ | $ 0.548 |
| 50+ | $ 0.475 |
| 100+ | $ 0.403 |
| 250+ | $ 0.356 |
| 500+ | $ 0.310 |
| 1000+ | $ 0.280 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteISZ065N03L5SATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante52 semanas
Código Newark
Rodo à Medida91AH7709RL
Segmento de fita91AH7709
Gama de produtosOptiMOS
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id40A
On Resistance Rds(on)0.0054ohm
Drain Source On State Resistance5400µohm
Transistor Case StyleTSDSON-FL
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation-
Power Dissipation Pd-
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeOptiMOS
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.0054ohm
Transistor Case Style
TSDSON-FL
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
-
No. of Pins
8Pins
Product Range
OptiMOS
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
40A
Drain Source On State Resistance
5400µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
Power Dissipation Pd
-
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto