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ISCH69N04NM7VATMA1
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 357 A, 650 µohm, TDSON, Surface Mount
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteISCH69N04NM7VATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante51 semanas
Código Newark
Rodo à Medida45AM3866RL
Segmento de fita45AM3866
Gama de produtosOptiMOS 7 Series
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 3.430 | $ 3.43 |
| Total Preço | $ 3.43 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 3.430 |
| 50+ | $ 1.890 |
| 100+ | $ 1.750 |
| 250+ | $ 1.620 |
| 500+ | $ 1.480 |
| 1000+ | $ 1.450 |
| 2500+ | $ 1.420 |
| 5000+ | $ 1.390 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteISCH69N04NM7VATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante51 semanas
Código Newark
Rodo à Medida45AM3866RL
Segmento de fita45AM3866
Gama de produtosOptiMOS 7 Series
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id357A
Drain Source On State Resistance650µohm
Transistor Case StyleTDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max3.15V
Power Dissipation167W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS 7 Series
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
357A
Transistor Case Style
TDSON
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation
167W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
650µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.15V
No. of Pins
8Pins
Product Range
OptiMOS 7 Series
SVHC
To Be Advised
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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Certificado de conformidade do produto