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ISC104N12LM6ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 120 V, 63 A, 0.0104 ohm, TDSON, Surface Mount
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteISC104N12LM6ATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante51 semanas
Código Newark
Rodo à Medida86AK9975RL
Segmento de fita86AK9975
Gama de produtosOptiMOS 6 Series
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.880 | $ 2.88 |
| Total Preço | $ 2.88 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.880 |
| 50+ | $ 1.580 |
| 100+ | $ 1.450 |
| 250+ | $ 1.340 |
| 500+ | $ 1.230 |
| 1000+ | $ 1.210 |
| 2500+ | $ 1.180 |
| 5000+ | $ 1.160 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteISC104N12LM6ATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante51 semanas
Código Newark
Rodo à Medida86AK9975RL
Segmento de fita86AK9975
Gama de produtosOptiMOS 6 Series
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds120V
Continuous Drain Current Id63A
Drain Source On State Resistance0.0104ohm
Transistor Case StyleTDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation94W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS 6 Series
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
63A
Transistor Case Style
TDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
94W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
120V
Drain Source On State Resistance
0.0104ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
OptiMOS 6 Series
SVHC
To Be Advised
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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