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IRLR3636TRPBF
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 50 A, 0.0068 ohm, TO-252AA, Surface Mount
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.580 | $ 2.58 |
| Total Preço | $ 2.58 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.580 |
| 10+ | $ 1.740 |
| 25+ | $ 1.580 |
| 50+ | $ 1.420 |
| 100+ | $ 1.260 |
| 250+ | $ 1.150 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 2000+ | $ 0.670 |
| 4000+ | $ 0.656 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRLR3636TRPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante26 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK5423
Rodo à Medida97Y1847RL
Segmento de fita97Y1847
Gama de produtosHEXFET
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id50A
On Resistance Rds(on)0.0054ohm
Drain Source On State Resistance0.0068ohm
Transistor Case StyleTO-252AA
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation143W
Power Dissipation Pd143W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
Single N-channel HEXFET® power MOSFET suitable for DC motor drive, high efficiency synchronous rectification in SMPS, uninterruptible power supply, high speed power switching and hard switched and high frequency circuits applications.
- Optimized for logic level drive
- Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.0054ohm
Transistor Case Style
TO-252AA
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
143W
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
50A
Drain Source On State Resistance
0.0068ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Power Dissipation Pd
143W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Alternativas para IRLR3636TRPBF
2 produtos encontrados
Produtos associados
5 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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