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IRLR2905TRLPBF
MOSFET, N-CH, 55V, 42A, TO-252AA
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.140 | $ 1.14 |
| Total Preço | $ 1.14 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.140 |
| 50+ | $ 0.981 |
| 100+ | $ 0.884 |
| 250+ | $ 0.802 |
| 500+ | $ 0.673 |
| 1000+ | $ 0.595 |
| 2500+ | $ 0.517 |
| 5000+ | $ 0.496 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRLR2905TRLPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante11 semanas
Código Newark
Rodo à Medida34AC1793RL
Segmento de fita34AC1793
Gama de produtosHEXFET
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id42A
On Resistance Rds(on)0.027ohm
Drain Source On State Resistance0.027ohm
Transistor Case StyleTO-252AA
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd110W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation110W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
55V
On Resistance Rds(on)
0.027ohm
Transistor Case Style
TO-252AA
Power Dissipation Pd
110W
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
42A
Drain Source On State Resistance
0.027ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
110W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Documentação técnica (3)
Alternativas para IRLR2905TRLPBF
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Produtos associados
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Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (27-Jun-2018)
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