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IRLR024NTRPBF
Power MOSFET, N Channel, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRLR024NTRPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante27 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK5412
Rodo à Medida63J7621RL
Segmento de fita63J7621
Também conhecido porSP001578872
Seu número de peça
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.260 | $ 1.26 |
| Total Preço | $ 1.26 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.260 |
| 50+ | $ 0.623 |
| 100+ | $ 0.560 |
| 250+ | $ 0.506 |
| 500+ | $ 0.451 |
| 1000+ | $ 0.442 |
| 2500+ | $ 0.433 |
| 5000+ | $ 0.424 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 2000+ | $ 0.340 |
| 6000+ | $ 0.308 |
| 10000+ | $ 0.302 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRLR024NTRPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante27 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK5412
Rodo à Medida63J7621RL
Segmento de fita63J7621
Também conhecido porSP001578872
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id17A
Drain Source On State Resistance0.065ohm
On Resistance Rds(on)0.065ohm
Transistor Case StyleTO-252AA
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd45W
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation45W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The IRLR024NTRPBF is a HEXFET® fifth generation single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient device for use in a wide variety of applications. It is designed for surface-mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation level up to 1.5W is possible in typical surface-mount applications.
- Logic level gate drive
- Advanced process technology
- Fully avalanche rating
- Dynamic dV/dt rating
Aplicações
Power Management
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
55V
Drain Source On State Resistance
0.065ohm
Transistor Case Style
TO-252AA
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
17A
On Resistance Rds(on)
0.065ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
45W
Power Dissipation
45W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (4)
Alternativas para IRLR024NTRPBF
5 produtos encontrados
Produtos associados
5 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto