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IRLML6401TRPBF
Power MOSFET, HEXFET, P Channel, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRLML6401TRPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante39 semanas
Código Newark
Rolo completo87AK1453
Rodo à Medida63J7615RL
Segmento de fita63J7615
Gama de produtosHEXFET Series
Também conhecido porSP001577044
Seu número de peça
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.560 | $ 0.56 |
| Total Preço | $ 0.56 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.560 |
| 10+ | $ 0.342 |
| 25+ | $ 0.316 |
| 50+ | $ 0.289 |
| 100+ | $ 0.263 |
| 250+ | $ 0.236 |
| 500+ | $ 0.208 |
| 1000+ | $ 0.187 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 6000+ | $ 0.094 |
| 12000+ | $ 0.089 |
| 24000+ | $ 0.080 |
| 36000+ | $ 0.077 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRLML6401TRPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante39 semanas
Código Newark
Rolo completo87AK1453
Rodo à Medida63J7615RL
Segmento de fita63J7615
Gama de produtosHEXFET Series
Também conhecido porSP001577044
Ficha técnica
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds12V
Continuous Drain Current Id4.3A
On Resistance Rds(on)0.05ohm
Drain Source On State Resistance0.05ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Power Dissipation Pd1.3W
Gate Source Threshold Voltage Max550mV
Power Dissipation1.3W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The IRLML6401TRPBF is a -12V single P-channel HEXFET Power MOSFET, compatible with existing surface mount techniques. This MOSFET features increased reliability and easier manufacturing.
- Halogen-free
- MSL1, Industrial qualification
- Multi-vendor compatibility
- Environmentally-friendly
- Trench MOSFET technology
- ±8V Gate to source voltage
- 0.01W/°C Linear derating factor
Aplicações
Power Management
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
12V
On Resistance Rds(on)
0.05ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max
550mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET Series
MSL
-
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
4.3A
Drain Source On State Resistance
0.05ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
1.3W
Power Dissipation
1.3W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto