Imprimir página
IRLML5103TRPBF
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 760 mA, 0.6 ohm, SOT-23, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRLML5103TRPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante12 semanas
Código Newark
Rodo à Medida63J7612
Segmento de fita63J7612
Também conhecido porSP001572946
Seu número de peça
10,826 Em Estoque
24,000 Você pode reservar estoque agora
Entrega em 2-3 Semanas Úteis(UK estoque)
Faça o pedido antes das 20h (EST) para envio convencional
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.505 | $ 0.50 |
| Total Preço | $ 0.50 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.505 |
| 10+ | $ 0.289 |
| 25+ | $ 0.259 |
| 50+ | $ 0.227 |
| 100+ | $ 0.196 |
| 250+ | $ 0.171 |
| 500+ | $ 0.146 |
| 1000+ | $ 0.131 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRLML5103TRPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante12 semanas
Código Newark
Rodo à Medida63J7612
Segmento de fita63J7612
Também conhecido porSP001572946
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id600mA
On Resistance Rds(on)0.6ohm
Drain Source On State Resistance0.6ohm
Transistor Case StyleµSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd540mW
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation540mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The IRLML5103TRPBF is a HEXFET® single P-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation.
- Generation V technology
- Low profile (<lt/>1.1mm)
- Fast switching
- Low static drain-to-source ON-resistance
- Dynamic dV/dt rating
- Fully avalanche rating
- Halogen-free
Aplicações
Power Management, Portable Devices, Computers & Computer Peripherals, Industrial
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.6ohm
Transistor Case Style
µSOIC
Power Dissipation Pd
540mW
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
600mA
Drain Source On State Resistance
0.6ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
540mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Alternativas para IRLML5103TRPBF
1 produto encontrado
Produtos associados
5 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto