Imprimir página
IRLML2803TRPBF
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 850 mA, 0.25 ohm, SOT-23, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRLML2803TRPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante44 semanas
Código Newark
Rolo completo87AK1450
Rodo à Medida97K2352RL
Segmento de fita97K2352
Também conhecido porSP001572964
Seu número de peça
191,871 Em Estoque
396,000 Você pode reservar estoque agora
Entrega em 2-3 Semanas Úteis(UK estoque)
Faça o pedido antes das 20h (EST) para envio convencional
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.442 | $ 0.44 |
| Total Preço | $ 0.44 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.442 |
| 50+ | $ 0.193 |
| 100+ | $ 0.168 |
| 250+ | $ 0.147 |
| 500+ | $ 0.125 |
| 1000+ | $ 0.123 |
| 2500+ | $ 0.120 |
| 5000+ | $ 0.118 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 6000+ | $ 0.099 |
| 18000+ | $ 0.084 |
| 30000+ | $ 0.082 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRLML2803TRPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante44 semanas
Código Newark
Rolo completo87AK1450
Rodo à Medida97K2352RL
Segmento de fita97K2352
Também conhecido porSP001572964
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id850mA
Drain Source On State Resistance0.25ohm
On Resistance Rds(on)0.3ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd400mW
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation400mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The IRLML2803PBF is a N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance. Fifth generation HEXFETs utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET® Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
- Low profile (<lt/>1.1mm)
- Ultra low on-resistance
- ±20V gate-source voltage
- Halogen-free
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.25ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
850mA
On Resistance Rds(on)
0.3ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
400mW
Power Dissipation
400mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Alternativas para IRLML2803TRPBF
4 produtos encontrados
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto