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IRLML2502PBF
Power MOSFET, HEXFET, N Channel, 20 V, 4.2 A, 0.045 ohm, SOT-23, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRLML2502PBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante42 semanas
Código Newark
Rodo à Medida97K2351RL
Segmento de fita97K2351
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.545 | $ 0.54 |
| Total Preço | $ 0.54 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.545 |
| 50+ | $ 0.419 |
| 100+ | $ 0.348 |
| 250+ | $ 0.291 |
| 500+ | $ 0.245 |
| 1000+ | $ 0.209 |
| 2500+ | $ 0.171 |
| 5000+ | $ 0.144 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRLML2502PBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante42 semanas
Código Newark
Rodo à Medida97K2351RL
Segmento de fita97K2351
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id4.2A
On Resistance Rds(on)0.045ohm
Drain Source On State Resistance0.045ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd1.25W
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1.2V
Power Dissipation1.25W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The IRLML2502PBF is 20V single N channel HEXFET power MOSFET in Micro3 (SOT-23) package. This MOSFET features extremely low on resistance per silicon area, ruggedness, fast switching as a result, power MOSFET are well know to provide extremely efficiency and reliability which can be used in wide variety of applications.
- Drain to source voltage (Vds) of 20V
- Gate to source voltage of ±12V
- On resistance Rds(on) of 35mohm at Vgs 4.5V
- Power dissipation Pd of 1.25W at 25°C
- Continuous drain current Id of 4.2A at vgs 4.5V and 25°C
- Operating junction temperature range from -55°C to 150°C
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.045ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Power Dissipation Pd
1.25W
Gate Source Threshold Voltage Max
1.2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
4.2A
Drain Source On State Resistance
0.045ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
1.25W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Alternativas para IRLML2502PBF
1 produto encontrado
Produtos associados
6 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto