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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.270 | $ 1.27 |
| Total Preço | $ 1.27 | ||
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.270 |
| 10+ | $ 0.848 |
| 25+ | $ 0.766 |
| 50+ | $ 0.683 |
| 100+ | $ 0.601 |
| 250+ | $ 0.544 |
| 500+ | $ 0.487 |
| 1000+ | $ 0.450 |
Informação do produto
Descrição geral do produto
The IRLL2705TRPBF is a HEXFET® fifth generation single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation. The package is designed for surface-mount using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Its unique package design allows for easy automatic pick-and-place as with other SOT or SOIC packages but has the added advantage of improved thermal performance due to an enlarged tab for heat sinking. Power dissipation of 1W is possible in a typical surface-mount application.
- Dynamic dV/dt rating
- Logic level gate drive
- Ease of paralleling
- Advanced process technology
- Low static drain-to-source ON-resistance
Aplicações
Power Management
Especificações Técnicas
N Channel
55V
0.04ohm
SOT-223
10V
2V
3Pins
-
MSL 1 - Unlimited
N Channel
3.8A
0.04ohm
Surface Mount
1W
1W
150°C
-
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para IRLL2705TRPBF
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Legislação e Ambiente
RoHS
RoHS
Certificado de conformidade do produto
