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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.670 |
| 10+ | $ 1.050 |
| 100+ | $ 0.683 |
| 500+ | $ 0.541 |
| 1000+ | $ 0.501 |
| 4000+ | $ 0.460 |
| 10000+ | $ 0.433 |
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Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRLB4132PBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante13 semanas
Código Newark13AC9224
Gama de produtosHEXFET
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id78A
Drain Source On State Resistance3500µohm
On Resistance Rds(on)0.0025ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.8V
Power Dissipation140W
Power Dissipation Pd140W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
- HEXFET® power MOSFET optimized for UPS/inverter applications and low voltage power tools
- Best in class performance for UPS/inverter applications
- Very low RDS(on) at 4.5V VGS
- Ultra-low gate impedance
- Fully characterized avalanche voltage and current
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
3500µohm
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
140W
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
78A
On Resistance Rds(on)
0.0025ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
1.8V
Power Dissipation Pd
140W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto