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IRL7486MTRPBF
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 209 A, 0.00125 ohm, DirectFET ME, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRL7486MTRPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante23 semanas
Código Newark
Rodo à Medida53Y4841RL
Segmento de fita53Y4841
Gama de produtosStrongIRFET Series
Também conhecido porSP001567046
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 23 Semana(s)
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.630 | $ 2.63 |
| Total Preço | $ 2.63 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.630 |
| 10+ | $ 1.690 |
| 25+ | $ 1.510 |
| 50+ | $ 1.330 |
| 100+ | $ 1.150 |
| 250+ | $ 1.040 |
| 500+ | $ 0.923 |
| 1000+ | $ 0.849 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRL7486MTRPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante23 semanas
Código Newark
Rodo à Medida53Y4841RL
Segmento de fita53Y4841
Gama de produtosStrongIRFET Series
Também conhecido porSP001567046
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id209A
On Resistance Rds(on)0.001ohm
Drain Source On State Resistance0.00125ohm
Transistor Case StyleDirectFET ME
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd104W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation104W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeStrongIRFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
IRL7486MTRPBF is a N channel power MOSFET. Application includes brushed motor drive applications, BLDC motor drive applications, battery powered circuits, half-bridge and full-bridge topologies, synchronous rectifier applications, resonant mode power supplies, OR-ing and redundant power switches, DC/DC and AC/DC converters, DC/AC inverters.
- Optimized for logic level drive
- Improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dv/dt and di/dt capability
- Drain-to-source breakdown voltage is 40V (min, VGS = 0V, ID = 250µA, TJ = 25°C)
- Static drain-to-source on-resistance is 1.0mohm (typ, VGS = 10V, ID = 123A, TJ = 25°C)
- Continuous drain current, VGS at 10V (silicon limited) is 209A (max, TC = 25°C)
- Internal gate resistance is 0.97ohm (typ, TJ = 25°C)
- Forward transconductance is 427S (TJ = 25°C, VDS = 10V, ID = 123A, typ)
- DirectFET® ME package, operating junction and storage temperature range from -55 to +150°C
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
On Resistance Rds(on)
0.001ohm
Transistor Case Style
DirectFET ME
Power Dissipation Pd
104W
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
StrongIRFET Series
MSL
MSL 2 - 1 year
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
209A
Drain Source On State Resistance
0.00125ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
104W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Produtos associados
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto