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IRL40SC228
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 360 A, 650 µohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRL40SC228Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante14 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK5436
Rodo à Medida43AC3302RL
Segmento de fita43AC3302
Gama de produtosStrongIRFET
Seu número de peça
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 6.320 | $ 6.32 |
| Total Preço | $ 6.32 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 6.320 |
| 50+ | $ 3.630 |
| 100+ | $ 3.370 |
| 250+ | $ 3.300 |
| 500+ | $ 3.240 |
| 1000+ | $ 3.170 |
| 2500+ | $ 3.100 |
| 5000+ | $ 3.030 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 800+ | $ 2.810 |
| 2400+ | $ 2.660 |
| 4000+ | $ 2.610 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRL40SC228Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante14 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK5436
Rodo à Medida43AC3302RL
Segmento de fita43AC3302
Gama de produtosStrongIRFET
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id360A
On Resistance Rds(on)500µohm
Drain Source On State Resistance650µohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.4V
Power Dissipation Pd416W
Power Dissipation416W
No. of Pins7Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeStrongIRFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
HEXFET® Power MOSFET suitable for use in brushed motor drive applications, BLDC motor drive applications, battery powered circuits, half-bridge and full-bridge topologies, synchronous rectifier applications, resonant mode power supplies, OR-ing and redundant power switches, DC/DC and AC/DC converters, DC/AC inverters.
- Optimized for logic level drive
- Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
On Resistance Rds(on)
500µohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
416W
No. of Pins
7Pins
Product Range
StrongIRFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
360A
Drain Source On State Resistance
650µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.4V
Power Dissipation
416W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto