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IRFZ34NSTRLPBF
MOSFET, N-CH, 55V, 29A, TO-263
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.320 | $ 2.32 |
| Total Preço | $ 2.32 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.320 |
| 10+ | $ 1.480 |
| 25+ | $ 1.340 |
| 50+ | $ 1.180 |
| 100+ | $ 1.030 |
| 250+ | $ 0.942 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 800+ | $ 0.651 |
| 1600+ | $ 0.624 |
| 3200+ | $ 0.597 |
| 4800+ | $ 0.574 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRFZ34NSTRLPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante28 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK5342
Rodo à Medida13AC9165RL
Segmento de fita13AC9165
Gama de produtosHEXFET
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id29A
Drain Source On State Resistance0.04ohm
On Resistance Rds(on)0.04ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd68W
Power Dissipation68W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
55V
Drain Source On State Resistance
0.04ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
68W
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
29A
On Resistance Rds(on)
0.04ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
68W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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