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IRFU9024NPBF
MOSFET, P, -55V, -11A, I-PAK
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRFU9024NPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante32 semanas
Código Newark63J7099
Também conhecido porSP001557756
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.730 |
| 10+ | $ 0.723 |
| 100+ | $ 0.670 |
| 500+ | $ 0.555 |
| 1000+ | $ 0.507 |
| 2500+ | $ 0.473 |
| 12000+ | $ 0.438 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRFU9024NPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante32 semanas
Código Newark63J7099
Também conhecido porSP001557756
Ficha técnica
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id11A
Drain Source On State Resistance0.175ohm
On Resistance Rds(on)0.175ohm
Transistor Case StyleTO-251AA
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd38W
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation38W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The IRFU9024NPBF is a -55V single P-channel HEXFET® Power MOSFET, fifth generation HEXFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFET is well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. The D-Pak is designed for surface mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques.
- Ultra low on-resistance
- Advanced process technology
- Fully avalanche rated
Aplicações
Power Management
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
55V
Drain Source On State Resistance
0.175ohm
Transistor Case Style
TO-251AA
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
11A
On Resistance Rds(on)
0.175ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
38W
Power Dissipation
38W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Produtos associados
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos