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IRFU5305PBF
Power MOSFET, P Channel, 55 V, 22 A, 0.065 ohm, TO-251AA, Through Hole
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRFU5305PBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante30 semanas
Código Newark38K2689
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.030 |
| 10+ | $ 1.120 |
| 100+ | $ 0.906 |
| 500+ | $ 0.737 |
| 1000+ | $ 0.631 |
| 2500+ | $ 0.562 |
| 10000+ | $ 0.492 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRFU5305PBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante30 semanas
Código Newark38K2689
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id22A
Drain Source On State Resistance0.065ohm
On Resistance Rds(on)0.065ohm
Transistor Case StyleTO-251AA
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation69W
Power Dissipation Pd69W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
- Single N-channel HEXFET® power MOSFET
- Advanced process technology
- Ultra low on-resistance
- Fast switching
- Fully avalanche rated
- Dynamic dv/dt rating
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
55V
Drain Source On State Resistance
0.065ohm
Transistor Case Style
TO-251AA
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
69W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
22A
On Resistance Rds(on)
0.065ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
69W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Produtos associados
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (25-Jun-2025)
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