Imprimir página
IRFU120NPBF
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-251AA, Through Hole
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRFU120NPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante26 semanas
Código Newark38K2655
Seu número de peça
8,851 Em Estoque
Precisa de mais?
Entrega em 2-3 Semanas Úteis(UK estoque)
Faça o pedido antes das 20h (EST) para envio convencional
Disponível conforme quantidade indicadaPara solicitar uma quantidade maior do que a exibida no inventário, entre em contato com o departamento de vendas
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.320 |
| 10+ | $ 0.577 |
| 100+ | $ 0.515 |
| 500+ | $ 0.426 |
| 1000+ | $ 0.356 |
| 2500+ | $ 0.353 |
| 12000+ | $ 0.349 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 1.32
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRFU120NPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante26 semanas
Código Newark38K2655
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id9.4A
On Resistance Rds(on)0.21ohm
Drain Source On State Resistance0.21ohm
Transistor Case StyleTO-251AA
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd48W
Power Dissipation48W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
Single N-channel power MOSFET in a I-Pak package. It utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.
- Advanced process technology
- Fast switching
- Fully avalanche rated
- Planar cell structure for wide SOA
- Product qualification according to JEDEC standard
- Increased ruggedness
- High performance in low frequency applications
- Standard pinout allows for drop in replacement
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.21ohm
Transistor Case Style
TO-251AA
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
48W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
9.4A
Drain Source On State Resistance
0.21ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
48W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Produtos associados
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (25-Jun-2025)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto