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IRFS4229TRLPBF
Power MOSFET, N Channel, 250 V, 45 A, 0.048 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 5.220 | $ 5.22 |
| Total Preço | $ 5.22 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 5.220 |
| 50+ | $ 3.010 |
| 100+ | $ 2.790 |
| 250+ | $ 2.620 |
| 500+ | $ 2.570 |
| 1000+ | $ 2.520 |
| 2500+ | $ 2.460 |
| 5000+ | $ 2.410 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 800+ | $ 2.320 |
| 2400+ | $ 2.160 |
| 4000+ | $ 2.120 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRFS4229TRLPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante9 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK5333
Rodo à Medida43AC3281RL
Segmento de fita43AC3281
Gama de produtosHEXFET
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds250V
Continuous Drain Current Id45A
Drain Source On State Resistance0.048ohm
On Resistance Rds(on)0.042ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation330W
Power Dissipation Pd330W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
HEXFET® Power MOSFET is specially designed for sustain, energy recovery and pass switch applications in plasma display panel. It features low EPULSE rating to reduce power dissipation in PDP sustain, energy recovery and pass switch applications.
- Advanced process technology
- Low QG for fast response
- High repetitive peak current capability for reliable operation
- Short fall & rise times for fast switching
- 175°C operating junction temperature for improved ruggedness
- Repetitive avalanche capability for robustness and reliability
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
250V
Drain Source On State Resistance
0.048ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
330W
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
45A
On Resistance Rds(on)
0.042ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation Pd
330W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Produtos associados
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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