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IRFS4127TRLPBF
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 72 A, 0.022 ohm, TO-263AB, Surface Mount
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 4.180 | $ 4.18 |
| Total Preço | $ 4.18 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 4.180 |
| 10+ | $ 2.740 |
| 25+ | $ 2.460 |
| 50+ | $ 2.190 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 800+ | $ 1.370 |
| 1600+ | $ 1.320 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRFS4127TRLPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante15 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK5331
Rodo à Medida13AC9156RL
Segmento de fita13AC9156
Gama de produtosHEXFET
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id72A
Drain Source On State Resistance0.022ohm
On Resistance Rds(on)0.0186ohm
Transistor Case StyleTO-263AB
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation375W
Power Dissipation Pd375W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.022ohm
Transistor Case Style
TO-263AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
375W
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
72A
On Resistance Rds(on)
0.0186ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation Pd
375W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Produtos associados
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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