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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRFR6215TRPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante26 semanas
Código Newark
Rodo à Medida40M7906RL
Segmento de fita40M7906
Também conhecido porSP001571562
Seu número de peça
8,003 Em Estoque
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.360 | $ 2.36 |
| Total Preço | $ 2.36 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.360 |
| 10+ | $ 1.570 |
| 25+ | $ 1.420 |
| 50+ | $ 1.260 |
| 100+ | $ 1.110 |
| 250+ | $ 1.010 |
| 500+ | $ 0.914 |
| 1000+ | $ 0.863 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRFR6215TRPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante26 semanas
Código Newark
Rodo à Medida40M7906RL
Segmento de fita40M7906
Também conhecido porSP001571562
Ficha técnica
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id13A
Drain Source On State Resistance0.295ohm
On Resistance Rds(on)0.295ohm
Transistor Case StyleTO-252AA
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd110W
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation110W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The IRFR6215TRPBF is a HEXFET® fifth generation single P-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient device for use in a wide variety of applications. It is designed for surface-mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation level up to 1.5W is possible in typical surface-mount applications.
- Advanced process technology
- Fast switching
- Fully avalanche rating
- Low static drain-to-source ON-resistance
- Dynamic dV/dt rating
Aplicações
Automotive, Power Management
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
0.295ohm
Transistor Case Style
TO-252AA
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
13A
On Resistance Rds(on)
0.295ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
110W
Power Dissipation
110W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para IRFR6215TRPBF
2 produtos encontrados
Produtos associados
5 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
