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IRFR5305TRPBF
Power MOSFET, P Channel, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRFR5305TRPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante19 semanas
Código Newark
Rolo completo51AM3618
Segmento de fita48W3427
Gama de produtosHEXFET Series
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.660 | $ 1.66 |
| Total Preço | $ 1.66 | ||
Segmento de fita
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.660 |
| 50+ | $ 0.864 |
| 100+ | $ 0.786 |
| 250+ | $ 0.718 |
| 500+ | $ 0.650 |
| 1000+ | $ 0.637 |
| 2500+ | $ 0.624 |
| 5000+ | $ 0.611 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 2000+ | $ 0.477 |
| 6000+ | $ 0.458 |
| 10000+ | $ 0.419 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRFR5305TRPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante19 semanas
Código Newark
Rolo completo51AM3618
Segmento de fita48W3427
Gama de produtosHEXFET Series
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id31A
Drain Source On State Resistance0.065ohm
On Resistance Rds(on)0.065ohm
Transistor Case StyleTO-252AA
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd110W
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation110W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The IRFR5305TRPBF is a -55V single P-channel HEXFET® Power MOSFET, fifth generation HEXFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET® power MOSFET is well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. The D-Pak is designed for surface mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques.
- Ultra low on-resistance
- Advanced process technology
- Fully avalanche rated
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
55V
Drain Source On State Resistance
0.065ohm
Transistor Case Style
TO-252AA
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET Series
MSL
-
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
31A
On Resistance Rds(on)
0.065ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
110W
Power Dissipation
110W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (4)
Alternativas para IRFR5305TRPBF
2 produtos encontrados
Produtos associados
5 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto