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IRFR5305TRLPBF
Power MOSFET, P Channel, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRFR5305TRLPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante14 semanas
Código Newark
Rodo à Medida89Y7292RL
Segmento de fita89Y7292
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.920 | $ 1.92 |
| Total Preço | $ 1.92 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.920 |
| 50+ | $ 0.972 |
| 100+ | $ 0.880 |
| 250+ | $ 0.799 |
| 500+ | $ 0.718 |
| 1000+ | $ 0.704 |
| 2500+ | $ 0.689 |
| 5000+ | $ 0.675 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRFR5305TRLPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante14 semanas
Código Newark
Rodo à Medida89Y7292RL
Segmento de fita89Y7292
Ficha técnica
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id31A
Drain Source On State Resistance0.065ohm
On Resistance Rds(on)0.065ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation110W
Power Dissipation Pd110W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The IRFR5305TRLPBF is a HEXFET® fifth generation single P-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation. It is designed for surface-mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation level up to 1.5W is possible in typical surface-mount applications.
- Advanced process technology
- Fully avalanche rating
- Low static drain-to-source ON-resistance
- Dynamic dV/dt rating
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
55V
Drain Source On State Resistance
0.065ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
110W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
31A
On Resistance Rds(on)
0.065ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
110W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Alternativas para IRFR5305TRLPBF
2 produtos encontrados
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (25-Jun-2025)
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