Imprimir página
IRFR4615TRLPBF
Power MOSFET, HEXFET®, N Channel, 150 V, 33 A, 42 mohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
2,015 Em Estoque
Precisa de mais?
Entrega em 2-3 Semanas Úteis(UK estoque)
Faça o pedido antes das 20h (EST) para envio convencional
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 2.300 | $ 11.50 |
| Total Preço | $ 11.50 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 2.300 |
| 10+ | $ 1.470 |
| 25+ | $ 1.310 |
| 50+ | $ 1.160 |
| 100+ | $ 0.990 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.600 |
| 6000+ | $ 0.580 |
| 12000+ | $ 0.559 |
| 18000+ | $ 0.550 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRFR4615TRLPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante28 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK5319
Rodo à Medida39T2036RL
Segmento de fita39T2036
Gama de produtosHEXFET
Também conhecido porSP001560646
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id33A
Drain Source On State Resistance42mohm
On Resistance Rds(on)0.034ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd144W
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation144W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The IRFR4615TRLPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is suitable for high efficiency synchronous rectification in SMPS, hard switched and high frequency circuits.
- Fully characterized capacitance and Avalanche SOA
- Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability
Aplicações
Power Management, Industrial
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
42mohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
33A
On Resistance Rds(on)
0.034ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
144W
Power Dissipation
144W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Produtos associados
4 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto
