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IRFR3910TRPBF
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 16 A, 0.115 ohm, TO-252AA, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRFR3910TRPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante17 semanas
Código Newark
Rodo à Medida39M3554
Segmento de fita39M3554
Também conhecido porSP001560674
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 1.760 | $ 8.80 |
| Total Preço | $ 8.80 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 1.760 |
| 10+ | $ 1.120 |
| 25+ | $ 0.996 |
| 50+ | $ 0.869 |
| 100+ | $ 0.743 |
| 250+ | $ 0.685 |
| 500+ | $ 0.627 |
| 1000+ | $ 0.573 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRFR3910TRPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante17 semanas
Código Newark
Rodo à Medida39M3554
Segmento de fita39M3554
Também conhecido porSP001560674
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id16A
Drain Source On State Resistance0.115ohm
On Resistance Rds(on)0.115ohm
Transistor Case StyleTO-252AA
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd79W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation79W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The IRFR3910TRPBF is a HEXFET® fifth generation single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient device for use in a wide variety of applications. It is designed for surface-mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation level up to 1.5W is possible in typical surface-mount applications.
- Advanced process technology
- Fast switching
- Fully avalanche rating
- Low static drain-to-source ON-resistance
- Dynamic dV/dt rating
Aplicações
Power Management
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.115ohm
Transistor Case Style
TO-252AA
Power Dissipation Pd
79W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
16A
On Resistance Rds(on)
0.115ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
79W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Alternativas para IRFR3910TRPBF
2 produtos encontrados
Produtos associados
6 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto