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IRFR3607TRPBF
Power MOSFET, N Channel, 75 V, 56 A, 0.009 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRFR3607TRPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante19 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK5314
Rodo à Medida25R3336RL
Segmento de fita25R3336
Também conhecido porSP001567010
Seu número de peça
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.290 | $ 2.29 |
| Total Preço | $ 2.29 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.290 |
| 10+ | $ 1.530 |
| 25+ | $ 1.380 |
| 50+ | $ 1.230 |
| 100+ | $ 1.090 |
| 250+ | $ 0.999 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 6000+ | $ 0.613 |
| 12000+ | $ 0.586 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRFR3607TRPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante19 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK5314
Rodo à Medida25R3336RL
Segmento de fita25R3336
Também conhecido porSP001567010
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds75V
Continuous Drain Current Id56A
Drain Source On State Resistance0.009ohm
On Resistance Rds(on)0.00734ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd140W
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation140W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The IRFR3607TRPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers fully characterized capacitance and avalanche SOA. It is suitable for high efficiency synchronous rectification in SMPS, hard switched and high frequency circuits.
- Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness
- Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability
Aplicações
Power Management, Industrial
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
75V
Drain Source On State Resistance
0.009ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
56A
On Resistance Rds(on)
0.00734ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
140W
Power Dissipation
140W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Produtos associados
7 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto