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IRFR120ZTRPBF
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 8.7 A, 0.19 ohm, TO-252AA, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRFR120ZTRPBFCópia
Código Newark
Rodo à Medida13AC9121RL
Segmento de fita13AC9121
Gama de produtosHEXFET Series
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRFR120ZTRPBFCópia
Código Newark
Rodo à Medida13AC9121RL
Segmento de fita13AC9121
Gama de produtosHEXFET Series
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id8.7A
On Resistance Rds(on)0.15ohm
Drain Source On State Resistance0.19ohm
Transistor Case StyleTO-252AA
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation35W
Power Dissipation Pd35W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.15ohm
Transistor Case Style
TO-252AA
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
35W
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
8.7A
Drain Source On State Resistance
0.19ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
35W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentação técnica (2)
Produtos associados
4 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
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