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IRFR120NTRPBF
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-252AA, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRFR120NTRPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante33 semanas
Código Newark
Rodo à Medida63J6915RL
Segmento de fita63J6915
Também conhecido porSP001566944
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.360 | $ 1.36 |
| Total Preço | $ 1.36 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.360 |
| 50+ | $ 0.664 |
| 100+ | $ 0.596 |
| 250+ | $ 0.537 |
| 500+ | $ 0.477 |
| 1000+ | $ 0.472 |
| 2500+ | $ 0.468 |
| 5000+ | $ 0.463 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRFR120NTRPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante33 semanas
Código Newark
Rodo à Medida63J6915RL
Segmento de fita63J6915
Também conhecido porSP001566944
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id9.4A
Drain Source On State Resistance0.21ohm
On Resistance Rds(on)0.21ohm
Transistor Case StyleTO-252AA
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd48W
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation48W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The IRFR120NTRPBF is a HEXFET® fifth generation N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The package is designed for surface-mount using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation level of 1.5W is possible in a typical surface-mount application.
- Advanced process technology
- Fully avalanche rating
- Low static drain-to-source ON-resistance
- Dynamic dV/dt rating
Aplicações
Power Management
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.21ohm
Transistor Case Style
TO-252AA
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
9.4A
On Resistance Rds(on)
0.21ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
48W
Power Dissipation
48W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Produtos associados
5 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto