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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.990 | $ 1.99 |
| Total Preço | $ 1.99 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.990 |
| 10+ | $ 1.330 |
| 25+ | $ 1.200 |
| 50+ | $ 1.060 |
| 100+ | $ 0.931 |
| 250+ | $ 0.849 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 6000+ | $ 0.424 |
| 12000+ | $ 0.405 |
| 24000+ | $ 0.384 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRFR1018ETRPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK5303
Rodo à Medida13AC9119RL
Segmento de fita13AC9119
Gama de produtosHEXFET
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id79A
Drain Source On State Resistance0.0084ohm
On Resistance Rds(on)0.0071ohm
Transistor Case StyleTO-252AA
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation Pd110W
Power Dissipation110W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.0084ohm
Transistor Case Style
TO-252AA
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
110W
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
79A
On Resistance Rds(on)
0.0071ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
Power Dissipation
110W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Alternativas para IRFR1018ETRPBF
1 produto encontrado
Produtos associados
4 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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