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IRFR024NTRPBF
Power MOSFET, N Channel, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-252AA, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRFR024NTRPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante13 semanas
Código Newark
Rolo completo99AK9905
Rodo à Medida63J6906RL
Segmento de fita63J6906
Também conhecido porSP001552090
Seu número de peça
82,359 Em Estoque
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.130 | $ 1.13 |
| Total Preço | $ 1.13 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.130 |
| 10+ | $ 0.806 |
| 25+ | $ 0.743 |
| 50+ | $ 0.679 |
| 100+ | $ 0.616 |
| 250+ | $ 0.557 |
| 500+ | $ 0.497 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 2000+ | $ 0.356 |
| 4000+ | $ 0.342 |
| 8000+ | $ 0.328 |
| 12000+ | $ 0.311 |
| 20000+ | $ 0.291 |
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRFR024NTRPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante13 semanas
Código Newark
Rolo completo99AK9905
Rodo à Medida63J6906RL
Segmento de fita63J6906
Também conhecido porSP001552090
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id17A
On Resistance Rds(on)0.075ohm
Drain Source On State Resistance0.075ohm
Transistor Case StyleTO-252AA
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd45W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation45W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The IRFR024NTRPBF is a HEXFET® fifth generation N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The package is designed for surface-mount using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation level of 1.5W is possible in a typical surface-mount application.
- Advanced process technology
- Fully avalanche rating
- Low static drain-to-source ON-resistance
- Dynamic dV/dt rating
Aplicações
Power Management
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
55V
On Resistance Rds(on)
0.075ohm
Transistor Case Style
TO-252AA
Power Dissipation Pd
45W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
17A
Drain Source On State Resistance
0.075ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
45W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (4)
Alternativas para IRFR024NTRPBF
5 produtos encontrados
Produtos associados
8 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
