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IRFP4768PBF
Power MOSFET, N Channel, 250 V, 93 A, 0.0175 ohm, TO-247AC, Through Hole
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRFP4768PBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante18 semanas
Código Newark08R4843
Também conhecido porSP001571028
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 6.890 |
| 10+ | $ 6.860 |
| 25+ | $ 4.870 |
| 50+ | $ 4.600 |
| 100+ | $ 4.340 |
| 250+ | $ 4.220 |
| 800+ | $ 4.070 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 6.89
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIRFP4768PBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante18 semanas
Código Newark08R4843
Também conhecido porSP001571028
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds250V
Continuous Drain Current Id93A
Drain Source On State Resistance0.0175ohm
On Resistance Rds(on)0.0145ohm
Transistor Case StyleTO-247AC
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd520W
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation520W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Alternativas para IRFP4768PBF
3 produtos encontrados
Descrição geral do produto
The IRFP4768PBF is a 250V single N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using Trench MOSFET technology. Suitable for high efficiency synchronous rectification in SMPS, uninterruptible power supply, high speed power switching, hard switched and high frequency circuits.
- Improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability
Aplicações
Power Management
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
250V
Drain Source On State Resistance
0.0175ohm
Transistor Case Style
TO-247AC
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
93A
On Resistance Rds(on)
0.0145ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
520W
Power Dissipation
520W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentação técnica (2)
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
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